どうちがうの?研究、就職
2 名前:名無しさん [2006/04/20(木) 03:54 ID:3mNIGQwI]理論← 理学部>基礎工>工学部 →応用
3 名前:名無しさん [2006/04/21(金) 02:11 ID:/pt9KyJw]物性を学ぶならどっちの学科??
4 名前:名無しさん [2006/04/21(金) 02:36 ID:JspqE1vs] >>3
基礎工電物
>>3
理学部物理学科 もしくは
基礎工学部電子物理科物性物理学コース
e
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9 名前:きょうのうんこ [2006/07/10(月) 17:39 ID:0HdG0noU] かわいそうに
一人ラリってるやつがいたらみんなそうだと思われる現実
あ、二人か
近大生ですが、偏差値では阪大が上でも、
就職では、あまり差は無いと、自覚しています。
今回の事件、そしてホストの事件を考えると、そう思います。
近大に通っても堂々と生きていきます。
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14 名前:名無しさん [2006/07/15(土) 23:23 ID:FSLQx37I] 違う。
あの犯人は大学で評価されなかったのではなく、素行で評価されなかっただけ。
11〜13まで、何か、削除ってのが3つ続けてあるけど、
何だろう?
書き込んだ日や時刻も表示されるはずなのに、「削除」になっている。
どうしてなんだろう?
この掲示板に初めて書き込みしたから、分からないので
誰か教えてくれる?
削除
17 名前:名無しさん [2006/07/28(金) 13:26 ID:fMifoXmA] 産学連携は日立のDNA
――日本の有力研究大学と組織的連携を相次いで提携する理由は。
日立製作所研究開発本部研究アライアンス室の中川泰夫室長。
北海道大学大学院情報科学研究科の教授も務めている
日立の研究開発と事業化をスピードアップするためです。
元々、産学官連携は日立のDNAです。
例えば、東北大学の八木秀次博士と宇田新太郎博士が発明した
アンテナ技術を基に、八木アンテナ
(さいたま市、現在の八木アンテナは合併などを経ているため、
創業時の企業とは厳密には異なる)で
通信アンテナの事業化を図るなど、
日立は産学連携による成果を基に、
事業化・企業化を効果的に進めてきました。
(八木博士は阪大学長でした)
>17 東芝がNAND型フラッシュメモリでサムスンに散々な目に合わされたのは、
エンジニアの引き抜きによる技術漏洩など、
東芝自体の対応のまずさが指摘されている。
NAND型フラッシュメモリを開発した桝岡氏は東芝を退社して大学へ。
そこでまた多層型の新型メモリの理論を構築。
これにドバイの企業が出資(そこも気に入らない。
なぜ日本企業、もしくは国が援助しないのか?)して実用化へ向けて
がんばっているそうだ。
なんでもその契約の時に桝岡教授は、製品化は日本の企業でやってくれ!
と盛り込んだそうである!
素晴らしいよ、マッシー!!
いつの日か、その新型メモリが世界の半導体市場を席捲していることを祈ってる・・・。made in Japanで!!
室温で強磁性をもつ磁性半導体を発見
磁石の性質を兼ね備えた半導体材料(磁性半導体)は「スピンエレクトロニクス材料」
として注目され、東大、東北大、東工大など多くの研究機関で精力的に
研究が進められている。
しかし、これまでに研究された磁性半導体は、キュリー温度が低く、
低温にして初めて強磁性を示すので、新しい機能性デバイスを作る上での
障害になっていた。
キュリー温度は、最も高い東北大学で開発された
ガリウムマンガン砒素(GaMnAs)でも110Kであった。
東京農工大学(工学部物理システム工学科)の佐藤勝昭教授は、
ロシアからの訪問教授メドベドキン博士、および、石橋隆幸助手とともに、
2燐化カドミウム・ゲルマニウム(CdGeP2)という
カルコパイライト型三元化合物半導体結晶の表面層(千分の一ミリの深さ)
にマンガンを高い濃度で導入することに成功し、
この新材料が室温でも強磁性をもつ磁性半導体であることを見出した。
室温強磁性は、VSMで磁気ヒステリシスが観測されたことや、
表面の磁化が磁気力顕微鏡(MFM)で見られたことから確かめられた。
キュリー温度は320Kであった。
また、1cmあたり5万度もの大きなファラデー効果(磁気光学効果)が
あることも見出された。
現在は基礎研究の段階であるが、今後材料開発を進めれば、
スピントランジスタや可視光用光アイソレータなどの
新機能デバイスの実用化に道が開かれると、期待している。
阪大では吉田教授が世界の指導的役割を果たしている。
>17 CDやDVDなど光ディスクの読み出しに使われる半導体レーザーの
ビームの形を、ドーナツ形にする技術を開発した。
従来の数分の1以下の小さい部分に集光することができ、
光ディスクの容量を大幅に増やせるという。
22日発行の英科学誌ネイチャーに発表する。
光ディスクの容量を増やすには、光を反射するくぼみ(ピット)を
小さくすればよい。くぼみは光の波長が短いほど小さくできるので、
波長の短い青色レーザーなどが開発されているが、
光を絞り込むのに限界があり、
波長程度より小さくできないことが大容量化の壁になっていた。
京都大の野田進教授のグループは「フォトニック結晶」と呼ばれる
特殊な構造を利用。ガリウム・ヒ素などの半導体で6種類の構造を作って
波長980ナノメートル(ナノは10億分の1)のレーザー光を発生させる
と、従来出せなかったドーナツ形など6種類の形のビームが出せた。
ドーナツ形ビームでは、光をその波長の数分の1に絞ることも可能で、
従来の光ディスクの10倍以上の容量増が見込めるという。
数年後の実用化を目指している。レーザー技術は阪大の最も得意とするところ。
発光ダイオード(LED)は様々な用途に使用されており、照明用光源として
使用するためにはLEDの素子1個あたりの発光量を多くすることが重要。
その点 阪大基礎工学部は世界の最高峰となる成果を挙げている。
米国の文献データ会社「トムソンサイエンティフィック」は6日、今年のノーベル賞発表に先立ち、同社が受賞を予測する有力候補27人を発表した。
日本人では物理学賞で中沢正隆・阪大教授が選ばれた。光ファイバー通信ネットワークで使われるエルビウム添加ファイバー増幅器の研究が対象。
同社は毎年、過去20年間の論文の引用数などに基づく予測を発表している。中沢教授の名前が挙がったのは初めて。
ノーベル賞は来月2日から各賞が発表される。
周波数シフト帰還型レーザーを用いた、目標物までの距離を測る光距離計で、
10km先の誤差が10μm(1/100mm)以内という高精度な装置を開発したと、
9月7日発表した。
JSTの事業で企業化に成功したもので、ビルや橋など大型構造物のひずみを
調べる測量や、光ファイバーの品質管理など計量機器をはじめ幅広い分野で
役立つと期待している。
世界で初めて四角い断面 を持つナノチューブの合成に成功した。
四角い断面のナノチューブは、
他のナノチューブと比べ空間をすき間なく埋められる特徴がある。
合成メカニズムはまだ不明であるが、多方面 への応用の可能性が期待される。
電子工学専攻の伊藤隆司教授に本年度の「財団法人材料科学技術振興財団山崎貞一賞」が贈られることになりました。
同賞は材料、半導体などの四分野で、実用化につながる優れた業績を残した研究者を対象としており、伊藤教授は半導体製造プロセス技術としての先駆的な研究開発を推進したことが評価され、「半導体及び半導体装置」の分野での受賞が決定しました。
大野英男教授(半導体スピントロニクス)らと日立
製作所のグループは4日、従来の4倍の速さでデータ読み取りができる世界
最高レベルの感度を備えたメモリー素子の開発に成功したと発表した。
この素子を、高速・大容量で消費電力が少ない次世代型磁気メモリー
「MRAM」開発に活用し、2年後をめどに実用化を目指す。
素子は、強磁性体の膜2枚で絶縁膜を挟んだ構造。高速化につながる素子の
感度向上には、絶縁膜の原子の配列を均一にする必要がある。絶縁膜に
酸化アルミニウムを使った従来の素子は、構造が不均一だった。
大野教授らは絶縁膜に、より適した酸化マグネシウムを活用。シリコン基板に
酸化マグネシウムと、強磁性体のコバルトと鉄の化合物を吹き付けて高温
処理し、均一な構造の薄膜(厚さ2ナノメートル、ナノは10億分の1)を作ることに
成功した。
感度を示す「磁気抵抗比率」は世界最高の287%を記録。酸化アルミニウムを
使った従来の素子と比べ、感度は4倍となった。感度を高めたことで、より少ない
電力でのデータ読み取り、大容量化が可能になった。
MRAMは「磁気ランダムアクセスメモリー」の略。現行のメモリーと比べ4倍の
速さでデータを読み取り、容量は100倍以上。しかも10分の1の電力で済む
「究極のメモリー」として、企業などが開発を競っている。
MRAMをメモリーカードに応用すれば、消費電力を抑えながらデジタルカメラの
連写速度を上げることが可能になるほか、電源を入れると瞬時に立ち上がる
コンピューターの実現も夢ではなくなる。
東北大のグループは「素材の組み合わせによっては、さらに高性能の素子を
開発することも可能だ」としている。
大野英男教授(半導体スピントロニクス)らと日立
製作所のグループは4日、従来の4倍の速さでデータ読み取りができる
世界最高レベルの感度を備えたメモリー素子の開発に成功したと発表した。
この素子を、高速・大容量で消費電力が少ない次世代型磁気メモリー
「MRAM」開発に活用し、2年後をめどに実用化を目指す。
素子は、強磁性体の膜2枚で絶縁膜を挟んだ構造。高速化につながる
素子の感度向上には、絶縁膜の原子の配列を均一にする必要がある。
絶縁膜に 酸化アルミニウムを使った従来の素子は、構造が不均一だった。
大野教授らは絶縁膜に、より適した酸化マグネシウムを活用。
シリコン基板に酸化マグネシウムと、強磁性体のコバルトと鉄の化合物を
吹き付けて高温処理し、均一な構造の薄膜を作ることに成功した。
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書き込みをするには、注意書きをよく読んでからにしてください